Aktuelles von unseren Mitgliedern

 

16.09.2022

Entwicklung von Schutzfunktionen und Barrieren zur Fertigung von manipulationssicherer und vertrauenswürdiger Elektronik

Der Schlüssel zu vertrauenswürdiger Elektronik ist das sichere Wissen über die Herkunft und die Funktionen des elektronischen Systems. Das setzt voraus, dass Komponenten und Liefer- sowie Wertschöpfungsketten nachvollzogen werden können und (Teil-)Systeme nicht durch Dritte kopiert oder manipuliert wurden. Das Forschungsvorhaben VE-CeraTrust konzentriert sich auf innovative Hardwarelösungen, indem integrierte Strukturen zur Sicherung der Vertrauens­würdig­keit von elektronischen Systemen entwickelt werden. Die angestrebten Innovationen sollen eine eineindeutige Identifikation von Baugruppen und Subsystemen während der Fertigung und Anwendung sicherstellen. Modulare Schutz­funktionen und Barrieren ermöglichen es zudem eine Manipulation des elektronischen Systems und dessen schützenswerter Teilkomponenten zu erschweren bzw. zu verhindern. Den gesamten Beitrag könen Sie hier einsehen.

 

16.08.2022

TU Ilmenau schließt Projekt Taupunktsensor für säurehaltige Gase ab

In einem Verbundvorhaben mit zwei KMU wurde seitens der Technischen Universität Ilmenau ein Sensorelement auf LTCC-Basis entwickelt, mit dem es möglich sein wird, den Taupunkt säurehaltiger Gase aus Abgasanlagen in-situ zu bestimmen. Derartige Sensoren helfen, die Abgastemperatur von industriellen fossilen Brennanlagen niedrig zu halten, ohne Gefahr zu laufen, dass Säure im Abgasstrang kondensiert und den Schornstein zerstört. Damit wird das Absenken von Brenntemperaturen ermöglicht, was zu geringerem CO2-Ausstoß führt. Den gesamten Beitrag könen Sie hier einsehen.

 

17.07.2022

Glas nun elektrisch leitend – neuartiges Verfahren ermöglicht integrierte metallische Mikrostrukturierung in Glas für die Sensorik

Geschützt vor Umwelteinflüssen, elektrisch und thermisch leitend sowie lithographisch sehr fein aufgelöst – dünne metallische Mikrostrukturen bieten in Glas hervorragende Eigenschaften für vielfältige Anwendungen. So könnten Sensorelemente aus ihnen hergestellt werden, die unter extrem rauen Bedingungen vor Korrosion geschützt sind, formstabil bleiben und ihre Funktion gewährleisten. Das am Fraunhofer IZM entwickelte Verfahren bietet neue Möglichkeiten, elektrisch leitfähige Elemente in Glas zu integrieren, wobei der elektrische Strom mit Hilfe von metallischen Mikrostrukturen in Glas und nicht auf dem Glas geleitet wird. Den gesamten Beitrag könen Sie hier einsehen.

 

21.06.2022

Mikrogalvanische Methode zur Abscheidung von lateral verteilten Schichtdicken unter Verwendung einer galvanischen Beschichtungstechnologie

In dieser Arbeit wird ein elektrochemisches Beschichtungsverfahren zur Abscheidung von visuell nicht erkennbaren, lateral verteilten Oberflächenstrukturen vorgestellt. Es wurden Konzepte mit Realdaten elektrochemischer Simulationen erstellt und in einen eigens entwickelten Aufbau übertragen. Mit den ermittelten Parametern war es möglich, ein Haftgoldelektrolyt auf den kathodenseitigen Substraten (Silber, Nickel) abzuscheiden. Wichtig für den Abscheidungsprozess ist die spezielle Anordnung und Ausprägung der anodenseitigen Elektrodengeometrien. Diese Schichten sowie deren lokale Verteilungen konnten mittels konfokaler Lasermikroskopie, Röntgenfluoresenzanalyse und Laserinterferenzmessungen untersucht und nachgewiesen werden. Den vollständigen Beitrag können Sie hier einsehen.

 

19.05.2022

Herstellung Mechatronischer Module durch den Einsatz von Drucktechnologien, Hochdruckumformen und Hinterspritzen

Die Technische Hochschule Nürnberg Georg Simon Ohm kann auf den erfolgreichen Abschluss des Forschungsprojekts „MecDruForm“ (Verbundvorhaben „IngenieurNachwuchs2016“ im Programm „Forschung an Fachhochschulen“, gefördert vom Bundesministerium für Bildung und Forschung unter der dem Förderkennzeichen 03FH020IA6) zurückblicken, welches seit dem Jahr 2017 bis Ende 2021 im Labor für Aufbau- und Verbindungstechnik der TH in Kooperation mit einem Forschungs- und zwei industriellen Partnern bearbeitet wurde. Dabei gelang durch den Einsatz der gedruckten Elektronik in Kombination mit Hochdruckumformen und Hinterspritzen die erfolgreiche Herstellung dreidimensionaler mechatronische Baugruppen. Erste Musterbaugruppen belegen die grundsätzliche Eignung der im Projekt entwickelten Prozesskette. Den vollständigen Beitrag können Sie hier einsehen.

 

19.05.2022

Ultraschall-Drahtbondprozess: Effiziente Prozessentwicklung durch Simulation

In neuen Generationen von Leistungsmodulen mit SiC-Halbleitern – z. B. als Inverter für Antriebe und Converter in Batteriesystemen von Elektrofahrzeugen – werden zunehmend Kupfer- statt der etablierten Aluminium-Bonddrähte eingesetzt, um die Zuverlässigkeit und Lebensdauer zu verbessern. Die höhere mechanische Festigkeit von Kupfer führt allerdings zu höheren Prozesskräften, wodurch das Risiko von Schädigungen der empfindlichen Chipoberseite steigt. Den vollständigen Beitrag können Sie hier einsehen.

 

19.04.2022

Miniaturisierte, intelligente, optische Drehwinkelsensoren.

Die Miniaturisierung von Sensoren macht auch bei optischen Drehwinkelsensoren nicht Halt. Darüber hinaus sollen immer mehr Messgrößen gleichzeitig und auf engstem Raum erfasst und zusätzliche Funktionalitäten und Analysen in Sensoren integriert werden.

In der Gruppe Sensoren+Aktoren bei Hahn-Schickard am Standort Stuttgart wurde im IGF-Vorhaben X-MIND (17898 N), ein Konzept für einen miniaturisierten, absolut kodierten, optischen Drehwinkelsensor mit einer Auflösung von 10 Bit, das entspricht 1024 einzelnen Winkelpositionen, entwickelt und zusammen mit dem IMS CHIPS erfolgreich umgesetzt. Den vollständigen Beitrag können Sie hier einsehen.

 

19.01.2022

Fotostrukturierbare Pasten – Neuste Innovationen in der Fineline-Dickschichttechnik

Im Oktober vergangenen Jahres fand die IMAPS-Herstkonferenz wieder in Präsenz in München statt, wir berichteten bereits im Dezemberheft darüber. Es gab auch wieder einen „Best Presentation Award“. Die Entscheidung fiel auf den Vortrag von Kathrin Reinhardt vom Fraunhofer IKTS Dresden. Sie überzeugte im Vortrag und in der anschließenden Diskussion durch ein fundiertes Wissen und die sachliche Formulierungsweise. Der Vortrag war sehr anschaulich und strukturiert vorbereitet. Sie stellte ein bekanntes, aber neu belebtes Thema vor: „Fotostrukturierbare Pasten – neuste Innovationen in der Fineline-Dickschichttechnik“. Damit könnte die Lücke zwischen dem technisch „einfachen“ Siebdruckverfahren und der technologisch aufwendigen Mikrostrukturierung gefüllt werden. Frau Reinhardt hat freundlicherweise einen Abriss des präsentierten Themas für die PLUS aufgearbeitet, den Sie hier finden.

 

10.01.2022

Harsh environment interconnection technology for three-dimensional packaging

Die Arbeitsgruppe um Prof. Dr.-Ing. Ha Duong Ngo kann auf einen erfolgreichen Projektabschluss zum Thema „3D – Metallisation mittels Atmosphärendruck-Sputtern für harsh environment Sensorgehäuse (3D Wire)“ zurückblicken.

Es wurde eine Technologie entwickelt, welche mittels Atmosphärendruck-Sputtern Dünnschicht-Leiterzüge auf Keramik-Rohlinge für Sensorgehäuse aufbringt, um so die elektrische Verbindung zwischen Sensor und Gehäuse-Außenseite zu bewerkstelligen.

Das abgeschiedene Hochtemperaturmetallsystem wurde erfolgreich mittels fotoelektrochemischen Ätztechnik strukturiert. Erste Muster belegen die Flexibilität des Verfahrens, die eine bedarfsgerechte Anpassung der Keramikgeometrie an die Umgebungsbedingungen und an das verwendete System ermöglicht. Näheres finden Sie hier.

 

14.03.2022

THT-Problemstellen frühzeitig erkennen – Modellbasiertes Design for Manufacturing beim Selektivwellenlöten

THT-Lötstellen führen immer wieder zu Fertigungsproblemen, weil der erforderliche Lotdurchstieg nicht erreicht werden kann. Um derartige Probleme in den Griff zu bekommen sind aussagekräftige Modelle notwendig, die den Lotdurchstieg schon im Designstadium quantifizieren können. Im folgenden Beitrag werden die im AIF IGF Projekt Siwolak erarbeiteten Ansätze zur Berechnung des Lotdurchstiegs dargelegt. Näheres finden Sie hier.